Diodes Inc. DMN63D8LDWQ-7
$ 0.088
NRND
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN63D8LDWQ-7 | 310 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN63D8LDWQ-7 | 4555 | 1 | 13h | ||||||||
| DigiKey | DMN63D8LDWQ-7DICT-ND | 1644 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMN63D8LDWQ-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN63D8LDWQ-7 | 0 | 3K | 2d |
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.088
$ 0.061
$ 0.061
Stock
822,959
2,284,227
2,284,227
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-363
SOT-363
SOT-363
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
220 mA
220 mA
220 mA
Threshold Voltage
-
1.5 V
1.5 V
Rds On Max
2.8 Ω
2.8 Ω
2.8 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
20 V
20 V
Power Dissipation
-
300 mW
300 mW
Input Capacitance
22 pF
22 pF
22 pF
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-07
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN33D8LDW-7
350mW 20V 1.5V@ 100¦ÌA 1.23nC@ 10V 2N 30V 2.4¦¸@ 250mA,10V 250mA 48pF@5V SOT-363
onsemiNVTJD4001NT2G
Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V, 250mA, 1.5Ω Automotive Version of the NTJD4001N
InfineonBSD316SNH6327XTSA1
BSD316 Series 30V 1.4A 500mW 160mOhm Single N-Channel MOSFET SOT363-6
onsemiNTJS4160NT1G
Small Signal MOSFET 30V 3.2A 60 mOhm Single N-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN63D8LDWQ-7 suministradas por sus distribuidores.
400mW 20V 1.5V@ 250¦ÌA 0.87nC@ 10V 2N 30V 2.8¦¸@ 250mA,10V 220mA 22pF@25V SOT-363
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, N-CH, 30V, 0.22A;
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 30V, 0.22A;
MOSFET, N-CH, 30V, 0.22A, SOT-363; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:220mA; Continuous Drain Current Id P Channel:- RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)220 mA
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance22 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Rds On Max2.8 Ω
Schedule B8541210080
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101 , IATF 16949
REACH SVHCYes
RoHSCompliant