Diodes Inc. DMN63D8LDW-7
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN63D8LDW-7 | 39.774 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN63D8LDW-7 | 45.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN63D8LDW-7 | 45.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | DMN63D8LDW-7 | 66.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| TME | DMN63D8LDW-7 | 0 | 1 | 8h |
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$ 0.071
$ 0.072
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Stock
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4,617,242
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-363
SOT-363
SOT-363
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
220 mA
220 mA
220 mA
Threshold Voltage
1.5 V
-
-
Rds On Max
2.8 Ω
2.8 Ω
2.8 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
300 mW
-
-
Input Capacitance
22 pF
22 pF
22 pF
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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onsemiNTJS4160NT1G
Small Signal MOSFET 30V 3.2A 60 mOhm Single N-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363
InfineonBSD214SNH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN63D8LDW-7 suministradas por sus distribuidores.
Dual N-Channel 30 V 2.8 O 0.3 W SMT Enhancement Mode MosFet - SOT-363
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 260mA 6-Pin SOT-363 T/R
Avnet Japan
30V 220mA 300mW 2.8Ω@10V,250mA 1.5V@250uA 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R 3K
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 260 mA, SOT-363, , 6
N+N CH MOS+ESD 30V 0,22A SOT363
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)220 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time6.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance22 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
Power Dissipation300 mW
Rds On Max2.8 Ω
Rise Time3.2 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time3.3 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento