onsemi NTJS4160NT1G
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Cadena de suministros
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN63D8LDW-7
Dual N-Channel 30 V 2.8 O 0.3 W SMT Enhancement Mode MosFet - SOT-363
Diodes Inc.DMN3190LDW-13
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
InfineonBSD214SNH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1
onsemiNTJD2152PT1G
Small Signal MOSFET 8V 775mA 300 mOhm Dual P-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363 with ESD Protection
onsemiNTJD2152PT1
Small Signal MOSFET 8V 775mA 300 mOhm Dual P-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363 with ESD Protection
Descripciones
Descripciones de onsemi NTJS4160NT1G suministradas por sus distribuidores.
Small Signal MOSFET 30V 3.2A 60 mOhm Single N-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 3.2A 60MOHM
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin SC-88 T/R
1800 mA 30 V N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time7.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance230 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation620 mW
Rds On Max60 mΩ
Rise Time7.2 ns
Turn-Off Delay Time10.9 ns
Turn-On Delay Time8.7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento