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Diodes Inc. 2N7002DW-7-F

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
$ 0.075
Production
Ficha técnica
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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Future Electronics
2
2N7002DW-7-F
882.000
3K
Tape & Reel
USD
0,042
RS (Formerly Allied Electronics)
2N7002DW-7-F
75
1
Bulk
USD
0,030
0,030
0,030
0,030
0,030
12h
TME
2
2N7002DW-7-F
880
1
USD
0,273
0,198
0,112
0,067
0,048
14h
Newark
2
2N7002DW-7-F
0
5
Cut Tape
USD
0,183
0,115
0,075
0,075
Conrad
3409424
40
USD*
8h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Diodes Inc. 2N7002DW-7-F.

Newark

Datasheet6 páginasHace 4 años
Datasheet5 páginasHace 12 años

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Future Electronics

Diodes Inc SCT

element14 APAC

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
Diodes Inc.2N7002DW-7-F
onsemi2N7002DW
onsemi2N7002DW
Price @ 1000
$ 0.075
$ 0.132
$ 0.132
Stock
51,522,989
4,150,975
4,150,975
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-363
SC
SC
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
115 mA
115 mA
115 mA
Threshold Voltage
2 V
1.76 V
1.76 V
Rds On Max
7.5 Ω
7.5 Ω
7.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
310 mW
200 mW
200 mW
Input Capacitance
50 pF
50 pF
50 pF

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

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Detalles

Descripciones

Descripciones de Diodes Inc. 2N7002DW-7-F suministradas por sus distribuidores.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
Avnet Japan
2N7002DW Series 60 V 7.5 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode Transistor SOT-363
Future Electronics
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N CH, 60V, 0.115A, SOT-363; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):13.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
element14 APAC
Mosfet, N Channel, Dual, 60 V, 800Ma, Sot-363; Transistor, Polaridad:Canal N Dual; Intensidad Drenador Continua Id:800Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):13.5Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Diodes Inc. 2N7002DW-7-F
Newark

Imágenes

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Farnell
RS
Farnell
TME
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Future Electronics
LCSC
Jameco
iiiC

Alias de fabricantes

Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • 2N7002DW-7-F????
  • 2N7002DW-7F
  • 2N7002DW7-F
  • 2N7002DW7F