Vishay SQM40P10-40L_GE3
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySQM50P03-07-GE3
SQM50P03-07-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 50 A, 30 V, 2+TAB-PIN TO-263
InfineonIPB057N06NATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 45 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonIPB081N06L3GATMA1
In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1
VishaySUM40N15-38-E3
SUM40N15-38-E3 N-channel MOSFET Transistor; 40 A; 150 V; 2+Tab-Pin TO-263
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SQM40P10-40L_GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
-100V, -40A, 0.04ohm, P-Channel, TrenchFET Power MOSFET, TO-263, AEC-Q101
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Mosfet, P-Ch, 100V, 40A, To-263; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V Rohs Compliant: Yes |Vishay SQM40P10-40L_GE3
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -16.67%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen