Vishay SIS892ADN-T1-GE3
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Verwandte Teile
InfineonIRFR540ZTRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIS892ADN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, N-CH, 100V, 28A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continu
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R / MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
MOSFET Devices; VISHAY; SIS892ADN-T1-GE3; 100 V; 7.4 A; 20 V; 3.7 W
MOSFET 100V 33MOHM@10V 28A N-CH MV T-FET
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Vishay NMOS, Vds=100 V, 28 A, PowerPAK 1212-8, , 8
MOSFET, N-CH, 100V, PPAK-1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance33 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance550 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max33 mΩ
Resistance33 MΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.4 mm
Width3.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen