Infineon IRFR540ZTRPBF
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378,579
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
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Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
35 A
35 A
35 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
28.5 mΩ
28.5 mΩ
28.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
91 W
91 W
91 W
Input Capacitance
1.69 nF
1.69 nF
1.69 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-02-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
InfineonAUIRFR540Z
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
InfineonAUIRFR2607Z
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTD30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR540ZTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: Lighting LED
MOSFET, N-CH, 100V, 35A, TO-252AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 35A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0225oh; Available until stocks are exhausted Alternative available
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance28.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.69 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation91 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance28.5 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation91 W
Rds On Max28.5 mΩ
Rise Time42 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen