Vishay SIS488DN-T1-GE3
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NRND
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-08-19
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFR4104TRLPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
InfineonBSZ0506NSATMA1
In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ0506NSATMA1
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIS488DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SiS488DN Series 40 V 40 A 5.5 mOhm N-Channel Mosfet - PowerPAK® 1212-8
Vishay N channel TrenchFET power MOSFET, 40 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS488DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8 / Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
MOSFET, N-CH, 40V, 40A, POWERPAK1212; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.2V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +18.29%
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.33 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max5.5 mΩ
Resistance5.5 mΩ
Rise Time65 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Datenblätter und Dokumente
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