Infineon IRFR4104TRLPBF
$ 0.82
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFR4104TRLPBF | 12.000 | 21h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFR4104TRLPBF | 0 | 3K | Bulk | 12h | |||||||
| Mouser | 942-IRFR4104TRLPBF | 2.451 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | IRFR4104TRLPBF | 6.000 | 309 | |||||||||
| Win Source | WS-IRFR4104TRLPBF | 169.012 | 75 | 22h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.12%
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRFR4104PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 4.3Milliohms;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
InfineonAUIRFR4104
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR4104TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Package/Case:D-PAK; Power Dissipation, Pd:140W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:84A; Continuous Drain Current - 25 Deg C:119A ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.95 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.5 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation140 W
Rds On Max5.5 mΩ
Rise Time69 ns
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen