Vishay SIR876ADP-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SIR876ADP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Verical | SIR876ADP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | SIR876ADP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SIR876ADP-T1-GE3CT-ND | 21.564 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIR876ADP-T1-GE3 | 168.000 | 3K | Tape & Reel | 8h |
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Single N-Channel 100V 0.0078 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIR876ADP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 100 V 14.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
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MOSFET, N-CH, 100V, 40A, POWERPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:62.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance10.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.63 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62.5 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Rds On Max10.8 mΩ
Resistance14.5 MΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen