Vishay SIR846DP-T1-GE3
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NRND
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SIR846DP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Verical | SIR846DP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SIR846DP-T1-GE3CT-ND | 1.445 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIR846DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 17h | ||||||||
| TTI | SIR846DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 6h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIR870DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, DI, 100V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous
VishaySI7174DP-T1-GE3
Si7174DP Series N-Channel 75 V 0.007 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIR846DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 100V 0.0078 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
MOSFET Devices; VISHAY; SIR846DP-T1-GE3; 100 V; 60 A; 20 V; 36 ns
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 72nC@ 10 V 1N 100V 7.8m¦¸@ 20A,10V 60A 2.87nF@50V 4.9mm*5.89mm*1.04mm
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:60A; On Resistance Rds(On):0.0064Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V Rohs Compliant: Yes
MOSFET, N CH, 100V, 60A, PPAK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:60A; Power Dissipation Pd:104W; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.87 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Rds On Max7.8 mΩ
Resistance7.8 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen