Vishay SIJ470DP-T1-GE3
$ 0.745
NRND
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SIJ470DP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Verical | SIJ470DP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SIJ470DP-T1-GE3CT-ND | 438 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIJ470DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 18h | ||||||||
| TTI | SIJ470DP-T1-GE3 | 0 | 6K | Tape & Reel | 3d |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +62.60%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIJ470DP-T1-GE3 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-08-06
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIR846DP-T1-GE3
Single N-Channel 100V 0.0078 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
VishaySI4190ADY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 18.4A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
VishaySI7852ADP-T1-GE3
Single N-Channel 80 V 0.017 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIJ470DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 100 V 9.1 mOhm 56.8 W SMT ThunderFET Mosfet - PowerPAK SO-8
Power Field-Effect Transistor, 58.8A I(D), 100V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
SINGLE N-CHANNEL 100V POWERPAK SO-8L MOSFET 9.1MOHM@ 10V
Trans MOSFET N-CH 100V 58.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
189W 20V 4.5V@ 760uA 67nC@ 10V 1N 600V 75m¦¸@ 15.1A,10V 33A 2.721nF@ 400V SOP 4.9mm*4.37mm*1.07mm
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +62.60%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals4
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)58.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.05 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation56.8 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Rds On Max9.1 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIJ470DP-T1-GE3 herunter.