Vishay SIR642DP-T1-GE3
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.351
Stock
104,118
603,147
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
60 A
60 A
Threshold Voltage
-
1 V
Rds On Max
2.4 mΩ
2.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
5.4 W
104 W
Input Capacitance
4.155 nF
5.66 nF
Verwandte Teile
VishaySIR414DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, 40V, 50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIR642DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R / MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Ch PowerPAK SO-8 BWL split gate 40V 2.4mohm@10V
MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.155 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.4 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time105 ns
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length6.15 mm
Width5.15 mm
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