Vishay SIHG21N60EF-GE3
$ 2.196
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SIHG21N60EF-GE3-ND | 439 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | SIHG21N60EF-GE3 | 0 | 1 | 17h | ||||||||
| TTI | SIHG21N60EF-GE3 | 0 | 500 | Tube | 5h | |||||||
| Avnet | SIHG21N60EF-GE3 | 0 | 500 | 5h | ||||||||
| Win Source | WS-SIHG21N60EF-GE3 | 53 | 12 | 4h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Mosfet, N-Ch, 500V, 26A, To-247Ac Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHG25N50E-GE3
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Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIHG21N60EF-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.176ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
N-CHANNEL 600V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Resistance176 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance2.03 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max176 mΩ
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