STMicroelectronics STW26NM60ND
$ 2.49
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | STW26NM60ND | 0 | 24 | Bulk | 20h | |||||||
| Microchip USA | STW26NM60ND | 1.384 | 600 | Tray | 20h | |||||||
| Win Source | WS-STW26NM60ND | 20 | 7 | 5h | ||||||||
| Worldway Electronics | STW26NM60ND | 29.884 | 7 | Tube | 4h | |||||||
| Aztech | STW26NM60ND | 10.577 | 1d |
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STW26NM60ND herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STW26NM60ND Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Verwandte Teile
VishaySIHG25N50E-GE3
Mosfet, N-Ch, 500V, 26A, To-247Ac Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHG25N50E-GE3
VishaySIHG22N60E-GE3
E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
STMicroelectronicsSTW24N60DM2
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW27N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
VishaySIHG22N60E-E3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW26NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-247 package
STW26NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 21 A, 650 V, 3-PIN TO-247
N-Channel 600 V 0.175 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance175 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.817 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max175 mΩ
Rise Time14.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time69 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STW26NM60ND herunter.