STMicroelectronics STW27N60M2-EP
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 24 A, 150 mΩ, TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW27N60M2-EP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 / N-Channel 600 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.163ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
170W(Tc) 25V 4.75V@ 250µA 33nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 163mΩ@ 10A,10V 20A 1.32nF@100V TO-247-3 Through hole mounting
MOSFET, N-CH, 600V, 20A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance163 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance1.32 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max163 mΩ
Schedule B8541290080
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