Vishay SI9433BDY-T1-GE3
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | 3D | Herunterladen |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.441
Stock
130,620
266,686
Authorized Distributors
3
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Continuous Drain Current (ID)
4.5 A
4.5 A
Threshold Voltage
-1.5 V
-600 mV
Rds On Max
40 mΩ
40 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1.3 W
1.3 W
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-11-03
LTD Date2025-05-03
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI9433BDY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
Si9433BDY Series 20 V 6.2 A 0.040 Ohm Surface Mount P-Channel MOSFET - SO-8
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P CH, 20V, 4.5A, 8SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-4.5A; Power Dissipation Pd:1.3W; Voltage Vgs Max:12V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max40 mΩ
Rise Time55 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.5 V
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen