Vishay SI7850DP-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7850DP-T1-E3/BKN)
$ 1.042
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
SI7850DP-T1-E35.0151Cut Tape
CoreStaffST636998762.8841
11h
DigiKey
3
SI7850DP-T1-E3CT-ND4.1151Cut Tape
TTISI7850DP-T1-E303KTape & Reel
19h
TTI EuropeSI7850DP-T1-E33.0003KTape & Reel
20h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI7850DP-T1-E3 herunter.

ODG (Origin Data Global)

Datasheet12 SeitenVor 6 Jahren

Newark

Farnell

Future Electronics

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-48.46%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SI7850DP-T1-E3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
3DHerunterladen
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
VishaySI7850DP-T1-E3
VishaySI7850DP-T1-GE3
Price @ 1000
$ 1.042
$ 1.025
Stock
423,058
556,199
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
6.2 A
6.2 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
22 mΩ
22 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
-
-

Lieferkette

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-11
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

VishaySI4850EY-T1-E3
Single N-Channel 60 V 0.022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Details
InfineonIRF7478TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Details
InfineonIRF7478PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Details
onsemiFDS5680
Transistor MOSFET Negative Channel 60 Volt 8A 8-Pin SOIC N T/R
Details
VishaySI4946BEY-T1-GE3
SI4946BEY-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.5 A, 60 V, 8-PIN SOIC
Details
onsemiFDS4559
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO / Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI7850DP-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7850DP-T1-E3/BKN)
Component Sense
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Avnet
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 0.018OHM, ID 6.2A, POWERPAK SO-8,PD 1.8W,-55C
RS (Formerly Allied Electronics)
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:1.8W; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10.3A; Package / Case:SOIC PowerPAK; Power Dissipation Pd:1.8W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
MOSFET, N SO-8 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:6.2A; Resistance, Rds On:0.031ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC PowerPAK; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:40A; External Depth:5.26mm; External Length / Height:1.2mm; N-channel Gate Charge:27nC; No. of Pins:8; Power Dissipation:1.8W; Power, Pd:1.8W; Power, Ptot:1.8W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on Max:0.022ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:3.3°C/W; Voltage, Vds Max:60V; Voltage, Vgs Max:20V; Voltage, Vgs th Min:1V; Width, External:6.2mm; Width, Tape:12mm
Farnell

Bilder

Vishay
Newark
Farnell
Farnell
element14 APAC
RS
Future Electronics
UTSource
Component Sense
Component Sense
element14
iiiC
Conrad

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI7850DP-T1 E3
  • SI7850DP-T1--E3
  • SI7850DP-T1-E3.
  • SI7850DP-T1E3