Vishay SI4946BEY-T1-GE3

SI4946BEY-T1-GE3 Dual N-channel Mosfet Transistor, 6.5 A, 60 V, 8-PIN SOIC
$ 0.383
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI4946BEY-T1-GE3 herunter.

Newark

Datasheet9 SeitenVor 9 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 13 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 11 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 12 Jahren

IHS

element14 APAC

Megastar

RS (Formerly Allied Electronics)

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-89.90%

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SI4946BEY-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-05-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13

Verwandte Teile

N-Channel 60 V 0.04 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Single N-Channel 60 V 0.036 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
SI9945BDY Series 60V 0.058 Ohm 20nC Dual N-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7478TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
onsemiFDS5351
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 6.1A, 35mΩ
InfineonIRF7478PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI4946BEY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

SI4946BEY-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.5 A, 60 V, 8-PIN SOIC
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
DUAL N-CH MOSFET SO-8 60V 41MOHM @ 10V 175C- LEAD(PB) AND HALOGEN FREE
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 60V, 0.041ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 6.5A, SOIC; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.5A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.; Available until stocks are exhausted Alternative available

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI4946BEY-T1-GE3.
  • SI4946BEYT1GE3