Vishay SI7450DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 8-Pin PowerPAK SOIC
$ 1.502
Production
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
SI7450DP-T1-GE32.7705Cut Tape
VericalSI7450DP-T1-GE39909
DigiKey
3
SI7450DP-T1-GE3CT-ND1.2201Cut Tape
TTISI7450DP-T1-GE33.0003KTape & Reel
17h
Future ElectronicsSI7450DP-T1-GE303KTape & Reel

Datenblätter und Dokumente

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Datasheet11 SeitenVor 10 Jahren
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Factory Futures

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
VishaySI7450DP-T1-GE3
VishaySI7450DP-T1-E3
Price @ 1000
$ 1.502
$ 1.54
Stock
186,679
331,869
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
3.2 A
3.2 A
Threshold Voltage
4.5 V
2 V
Rds On Max
80 mΩ
80 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.9 W
1.9 W
Input Capacitance
-
-

Lieferkette

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-09-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI7450DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 8-Pin PowerPAK SOIC
Avnet
1.9W(Ta) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 42nC@ 10 V 1N 200V 80m¦¸@ 4A,10V 3.2A 2.38nF 4.9mm*5.89mm*1.07mm
UnikeyIC
Single N-Channel 200 V 0.08 O 42 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Future Electronics
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
N Ch Mosfet; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:3.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V; Power Dissipation:1.9W Rohs Compliant: No |Vishay SI7450DP-T1-GE3.
Newark
MOSFET,N CH,200V.3.2A,PPSO8; Transistor Polarity:N; Max Current Id:3.2A; Max Voltage Vds:200V; On State Resistance:5ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Power Dissipation:1.9W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC PowerPAK; No. of Pins:8; Case Style:SOIC PowerPAK; Cont Current Id:3.2A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.26mm; External Length / Height:1.2mm; External Width:6.2mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.8°C/W; Max Junction Temperature Tj:150°C; Max On State Resistance:0.080ohm; Min Junction Temperature, Tj:-55°C; Min Voltage Vgs th:2V; N-channel Gate Charge:42nC; Power Dissipation Pd:1.9W; Pulse Current Idm:40A; Termination Type:SMD; Transistor Type:MOSFET; Typ Voltage Vds:200V; Typ Voltage Vgs th:4.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Farnell

Bilder

Vishay
Farnell
iiiC
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Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI7450DP-T1-GE3.
  • SI7450DPT1GE3