Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-03-12
LTD Date2013-09-12
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7492PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W
MOSFET, 200V, 3.7A, 79 MOHM, 39 NC QG, SO-8
N-Ch 200V 3,7A 2,5W 0,079R SO8
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 200V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):79mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3.7A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:30A; SMD Marking:F7492; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance79 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.82 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max79 mΩ
Recovery Time100 ns
Rise Time13 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width4.05 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen