Vishay SI6423DQ-T1-GE3
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Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSSOP
TSSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
-12 V
-
Continuous Drain Current (ID)
8.2 A
8.2 A
Threshold Voltage
-800 mV
-
Rds On Max
8.5 mΩ
8.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
1.05 W
1.05 W
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN2016UTS-13
20V 8.58A 14.5mΩ@4.5V,9.4A 880mW 1V@250uA 2 N-Channel TSSOP-8-3.0mm MOSFETs ROHS
Diodes Inc.DMP2035UTS-13
Trans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R / MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI6423DQ-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel 12 V 8.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TSSOP-8
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP / Trans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
1.05W(Ta) 8V 800mV@ 400¦ÌA 110nC@ 5 V 1P 12V 8.5m¦¸@ 9.5A,4.5V 8.2A TSSOP-8 3mm*4.4mm*1.2mm
P Channel Mosfet, -12V, 9.5A, Tssop, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:12V; Continuous Drain Current Id:9.5A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:8V; Power Dissipation:1.05W Rohs Compliant: No |Vishay SI6423DQ-T1-GE3.
MOSFET, P CH, -12V, -8.2A, TSSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.2A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.0112ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; Power Dissipation Pd:1.05W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TSSOP; No. of Pins:8; MSL:-
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTSSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight157.991892 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.2 A
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.05 W
Rds On Max8.5 mΩ
Resistance8.5 MΩ
Rise Time75 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-800 mV
Turn-Off Delay Time270 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width4.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen