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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDW258P herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-03-15
LTD Date2010-09-15
Verwandte Teile
VishaySI6423DQ-T1-E3
Single P-Channel 12 V 8.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TSSOP-8
VishaySI6423DQ-T1-GE3
Single P-Channel 12 V 8.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TSSOP-8
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDW258P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 12V 9A 8-Pin TSSOP T/R
12V/8V, 11/14/20MO, PCH, SINGLE, TSSOP-8, 160A GOX, PTII
Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 12V/8V PCh MOSFET
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTSSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating-9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance5.049 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation600 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max11 mΩ
Rise Time23 ns
Turn-Off Delay Time201 ns
Voltage Rating (DC)-12 V
Datenblätter und Dokumente
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