Vishay SI4943CDY-T1-E3
$ 0.851
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI4943CDY-T1-E3CT-ND | 599 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI4943CDY-T1-E3 | 0 | 2500 | 8h | ||||||||
| TTI | SI4943CDY-T1-E3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 21h | |||||||
| Future Electronics | SI4943CDY-T1-E3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SI4943CDY-T1-E3 | 0 | 2500 | 21h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -14.59%
CAD-Modelle
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
onsemiFDS6898AZ-F085
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 20V, 9.4A, 10mΩ
InfineonIRF7324PBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.018Ohm;ID -9A;SO-8;PD 2W;VGS +/-12V
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4943CDY-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.0192ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Transistor; Continuous Drain Current, Id:-8000mA; Drain Source Voltage, Vds:-20V; On Resistance, Rds(on):0.033ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance19.2 mΩ
Element ConfigurationDual
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.945 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max19.2 mΩ
Resistance19.2 mΩ
Rise Time71 ns
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen