Infineon IRF7324TRPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
onsemiFDS6898AZ-F085
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 20V, 9.4A, 10mΩ
VishaySI9926CDY-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7324TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 9A 8-Pin SOIC T/R
Dual P-Channel 20 V 0.026 Ohm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-9A; On Resistance, Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Drain Source On Resistance @ 10V:26mohm RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating-9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time190 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.94 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance18 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max18 mΩ
Resistance18 mΩ
Rise Time36 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time170 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen