Vishay SI4686DY-T1-GE3
$ 0.711
NRND
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI4686DY-T1-GE3CT-ND | 6.013 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI4686DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 19h | ||||||||
| TTI | SI4686DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 23h | |||||||
| Newark | SI4686DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SI4686DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 2d |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.711
$ 0.64
Stock
175,013
210,623
Authorized Distributors
5
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SO
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
13.8 A
13.8 A
Threshold Voltage
-
1 V
Rds On Max
9.5 mΩ
9.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3 W
3 W
Input Capacitance
1.22 nF
1.22 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-15
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4686DY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R
3W(Ta),5.2W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 26nC@ 10 V 1N 30V 9.5m¦¸@ 13.8A,10V 18.2A 1.22nF@15V SOIC-8 1.75mm
N CHANNEL MOSFET, 30V, 18.2A, SOIC
Small Signal Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET SO8S N 0.0144R 30V 13A~NH4219262
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:18.2A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.8 A
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.22 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Rds On Max9.5 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen