Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI4463DY-T1 herunter.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.839
Stock
129,300
617,170
Authorized Distributors
0
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
9 A
11.5 A
Threshold Voltage
-
-600 mV
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1.5 W
1 W
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4463DY-T1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 20V 9A 8-Pin SOIC N T/R
P-CH MOSFET SO-8 20V 14MOHM @ 4.5V<AZ
P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.5 W
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen