onsemi SI4463DY
$ 0.839
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi SI4463DY herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-01-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SI4463DY, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,11.5A I(D),SO RoHS Compliant: Yes
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC
Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs SO8, PCH, 20V
MISCELLANEOUS MOSFETS;
P-CHANNEL MOSFET
SO8 SINGLE N-CH 20V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight84.99187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rise Time15 ns
Threshold Voltage-600 mV
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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