Vishay SI4102DY-T1-GE3
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-02-26
LTD Date2019-08-26
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMC10A816N8TC
Mosfet, N & P-Ch, 2.1A, 100V, 150Deg C Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMC10A816N8TC
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4102DY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Single N-Channel 100 V 2.4 W 3.8 A 0.158 O Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0027A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 100V, 3.8A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:4.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3.8A; Power Dissipation Pd:4.8W; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance158 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance370 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.8 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Rds On Max158 mΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen