onsemi FDS89161LZ

Name: onsemi FDS89161LZ
Brand: onsemi
SKU: FDS89161LZ

Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 2.7A, 105mΩ

$ 0.626

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	FDS89161LZ	5	1	Cut Tape	0,238	0,238	0,238	0,238	0,238
Verical		FDS89161LZ	1.017	10			0,866	0,713	0,626	0,626
Arrow Electronics		FDS89161LZ	1.017	1		1,053	0,866	0,713	0,626	0,626
DigiKey	3	FDS89161LZCT-ND	2.284	1	Cut Tape	2,280	1,460	0,989	0,723	0,723
Onlinecomponents.com		FDS89161LZ	0	50	Bulk			0,685	0,620	0,565

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-06-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDS89161LZ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 2.7A, 105mΩ

onsemi

FDS89161LZ Series 100 V 2.7 A 105 mOhm Dual N-Ch PowerTrench Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R

Avnet Japan

MOSFET, N-CH, 100V, 2.7A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.7A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V;

Farnell

This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been special tailored to minimize the on-state resisitance and yet maintain superior switching performance. G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Conrad

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOIC

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight187 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)2.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance105 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationDual

Fall Time10 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance302 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation31 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

Power Dissipation31 W

Rds On Max105 mΩ

Rise Time10 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time9.5 ns

Turn-On Delay Time3.8 ns

Dimensions

Height1.75 mm

Length4.9 mm

Width3.9 mm