Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDS3612 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDS3612, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
2.5W(Ta) 4V@ 250µA 20nC@ 10V 1individualNChannel 100V 120mΩ@ 3.4A,10V 632pF@50V SOIC-8 SMD mount
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
MOSFETs SO-8
SO8, SINGLE, NCH
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Current Rating3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance632 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max120 mΩ
Rise Time2 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDS3612 herunter.