Vishay SI2319DS-T1-E3

Transistor Mosfet P-ch 40V 2.3A 3-PIN SOT-23 T/r
$ 0.428
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
VericalSI2319DS-T1-E3202113
Arrow ElectronicsSI2319DS-T1-E311
CoreStaffST636998532.8901
9h
TME
2
SI2319DS-T1-E32021
13h
DigiKey
2
SI2319DS-T1-E3CT-ND41Cut Tape

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet8 SeitenVor 5 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 10 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 11 Jahren

Farnell

Future Electronics

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
VishaySI2319DS-T1-E3
VishaySI2319DS-T1-GE3
Price @ 1000
$ 0.428
$ 0.466
Stock
505,067
1,416,277
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-40 V
-40 V
Continuous Drain Current (ID)
2.3 A
2.3 A
Threshold Voltage
-3 V
-3 V
Rds On Max
82 mΩ
82 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
750 mW
750 mW
Input Capacitance
470 pF
470 pF

Lieferkette

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13

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Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI2319DS-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
North Star Micro
Single P-Channel 40 V 82 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 40V, 0.082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
IHS
MOSFET,P CH,40V,2.3A,SOT23-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Power Dissipation Pd:750mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-2.3A; Power Dissipation Pd:750mW; Voltage Vgs Max:-20V
element14 APAC
P Channel Mosfet, -40V, 3A, To-236, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: No |Vishay SI2319DS-T1-E3.
Newark

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)
element14 APAC
Farnell
Farnell
Future Electronics
TME
Conrad

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI2319DS-T1-E3.
  • SI2319DS-T1E3
  • SI2319DST1E3