Vishay SI2304BDS-T1-GE3

Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
$ 0.301
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
AvnetSI2304BDS-T1-GE33.0003K
4d
DigiKey
2
SI2304BDS-T1-GE3CT-ND5641Cut Tape
TME
2
SI2304BDS-T1-GE303
3h
Mouser781-SI2304BDS-T1-GE3399.1661Tape & Reel
Win SourceWS-SI2304BDS-T1-GE3185.92090
15h

Datenblätter und Dokumente

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Alternative Teile

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Alternative Teile
VishaySI2304BDS-T1-GE3
VishaySI2304BDS-T1-E3
Price @ 1000
$ 0.301
$ 0.272
Stock
1,277,413
1,031,747
Authorized Distributors
4
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.6 A
2.6 A
Threshold Voltage
2.25 V
1.5 V
Rds On Max
70 mΩ
70 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
750 mW
750 mW
Input Capacitance
225 pF
225 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13

Verwandte Teile

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Si2316BDS Series N-Channel 30 V 50 mOhm 1.66 W Surface Mount Mosfet - TO-236
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VishaySI2307BDS-T1-GE3
Si2307BDS Series 30 V 2.5 A Surface Mount P-Channel Mosfet - SOT-23-3 (TO-236)
Details
Diodes Inc.DMP3160L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Details
Diodes Inc.DMN3200U-7
Single N-Channel 30 V 200 mOhm 650 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Details
Diodes Inc.ZXMN3A14FTA
ZXMN3A14 Series 30 V 0.065 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI2304BDS-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
Future Electronics
750mW(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 4nC@ 5 V 1N 30V 70m¦¸@ 2.5A,10V 2.6A 225pF@15V SOT-23-3,TO-236 1.12mm
UnikeyIC
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Avnet
30V 3.2A 750mW 70m´Î@10V2.5A 3V@250Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
IHS
N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, TO-236; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3
element14 APAC

Bilder

TME
Farnell
Future Electronics
TME
LCSC
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI2304BDS-T1-GE3.
  • SI2304BDST1GE3