Vishay SI2312BDS-T1-GE3

Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3
$ 0.306
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
TME
2
SI2312BDS-T1-GE303
1d
TTISI2312BDS-T1-GE303KTape & Reel
13h
NewarkSI2312BDS-T1-GE303KTape & Reel
TTI AsiaSI2312BDS-T1-GE3Kontakt
14h
AvnetSI2312BDS-T1-GE303K
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Datasheet7 SeitenVor 5 Jahren

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
VishaySI2312BDS-T1-GE3
Diodes Inc.DMG3414U-7
Diodes Inc.DMG3414U-7
Price @ 1000
$ 0.306
$ 0.224
$ 0.224
Stock
1,530,854
2,445,978
2,445,978
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
3.9 A
4.2 A
4.2 A
Threshold Voltage
8 V
-
-
Rds On Max
31 mΩ
25 mΩ
25 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
8 V
Power Dissipation
750 mW
780 mW
780 mW
Input Capacitance
-
829.9 pF
829.9 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-01-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13

Verwandte Teile

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Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI2312BDS-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical
N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):31mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:8V; Power Dissipation Pd:750mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:5A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:750mW; Power Dissipation Pd:750mW; Rise Time:30ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:0.85V; Voltage Vgs th Min:0.45V
element14 APAC

Bilder

element14 APAC
TME
element14
Future Electronics
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
LCSC
Conrad

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI2312BDS-T1-GE3.
  • SI2312BDST1GE3