Vishay SI2333DS-T1-E3

Name: Vishay SI2333DS-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: SI2333DS-T1-E3

Single P-Channel 12 V 0.032 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

$ 0.444

Obsolete

Herstellerseite Datenblatt

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST63699856	2	1		0,715	0,715	0,500	0,444	0,439	3h
Newark		SI2333DS-T1-E3	0	3K	Tape & Reel
Avnet		SI2333DS-T1-E3	0	3K							2d
TTI Asia		SI2333DS-T1-E3	Kontakt								3d
Farnell	2	SI2333DS-T1-E3	0	1	Cut Tape	1,271*	0,830*	0,631*	0,486*	0,472*	9h

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Newark

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Datasheet9 SeitenVor 11 Jahren

Datasheet6 SeitenVor 19 Jahren

Farnell

element14 APAC

Future Electronics

iiiC

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VishaySI2333DS-T1-E3

ROHMRQ5A040ZPTL

Price @ 1000

$ 0.444

$ 0.345

Stock

295,415

322,190

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-236

Drain to Source Voltage (Vdss)

-12 V

Continuous Drain Current (ID)

4.1 A

4 A

Threshold Voltage

-1 V

Rds On Max

32 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

8 V

Power Dissipation

750 mW

Input Capacitance

1.1 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-12-02

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-02-13

LTD Date2025-08-13

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI2333DS-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single P-Channel 12 V 0.032 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

Future Electronics

MOSFET, POWER, P-CH, VDSS -12V, RDS(ON) 0.025OHM, ID -4.1A, TO-236 (SOT-23),PD 0.75W

RS (Formerly Allied Electronics)

12V 4.1A 750mW 32m´Î@4.5V5.3A 1V@250Ã×A P Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS

Dasenic

Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 12V, 0.032ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

IHS

MOSFET, P, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.3A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):32mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:1.25W; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; Current Id Max:-4.1A; Package / Case:SOT-23; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-12V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

VIS
VISH
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Vishay Thin Film
Vishay Intertechnology
VISHA
Vishay Semiconductors
VISAHY
Vishay Intertech
VISHY
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
Vishay Intertechnologies
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay Semiconductor Opto Division
VSHAY
VISH/IR
VSHY
VSH
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
VISHAY ELECTRONIC
VISHAY AMERICAS INC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VISHAY OPTO
VISHAY FOIL RESISTORS
Vishay Polytech
Vishay Semiconductor
Vishay Sfernice
Vishay Siliconix
Vishay Dale
Vishay BCcomponents
Vishay Angstrohm
Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

SI2333DS-T1-E3.
SI2333DST1E3

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-236

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.437803 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)4.1 A

Drain to Source Breakdown Voltage-12 V

Drain to Source Resistance32 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-12 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time45 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance1.1 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation750 mW

Min Breakdown Voltage12 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-1 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation750 mW

Rds On Max32 mΩ

Resistance32 mΩ

Rise Time45 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-1 V

Turn-Off Delay Time72 ns

Turn-On Delay Time25 ns

Dimensions

Height1.12 mm

Length3.04 mm

Width1.4 mm