Vishay SI2304DDS-T1-GE3
$ 0.149
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -82.78%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI2304DDS-T1-GE3 herunter.
Offizielles DatenblattVor 20 Jahren
CAD-Modelle
Laden Sie Vishay SI2304DDS-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySI2307CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.5 A, 88 MilliOhms, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
Diodes Inc.DMP3160L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Diodes Inc.ZXMN3A14FTA
ZXMN3A14 Series 30 V 0.065 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI2304DDS-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 3.6 A; 30 V; 3-Pin TO-236
Transistor, MOSFET, N-ch, 30V(d-s), 3.3A, SOT23-3, SMD
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
MOSFET,N CH,30V,3.6A,DIODE,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.049ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3.3A; Power Dissipation Pd:1.1W; Voltage Vgs Max:20V
N Channel Mosfet, 30V, 3.6A, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:3.6A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.2V Rohs Compliant: No |Vishay SI2304DDS-T1-GE3.
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -82.78%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance35 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-50 °C
Nominal Vgs2.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max850 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time50 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.2 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI2304DDS-T1-GE3 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen