Diodes Inc. DMN3150L-7
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP2160U-7
DMP2160U Series 20 V 80 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Diodes Inc.DMP2130L-7
P-Channel 20 V 75 mOhm 7.3 nC Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
VishaySI2307CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.5 A, 88 MilliOhms, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
VishaySI2301CDS-T1-E3
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN3150L-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel MOSFET, 30V, 4.3A, SOT-23, for low-voltage power switching and load control
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 28V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
DMN3150L Series 28 V 85 mOhm N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.4 W
1.4W(Ta) 12V 1.4V@ 250µA 8.2nC@ 10V，3.7nC@ 4.5V 1individualNChannel 28V 85mΩ@ 3.6A,4.5V 3.8A 305pF@5V SOT-23-3 SMD mount 2.9mm*1.3mm*1.03mm
MOSFET, N-CH, 30V, 3.8A, SOT23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.8A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 920mV; Po
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Resistance54 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)28 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.49 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance305 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max85 mΩ
Resistance85 mΩ
Rise Time3.49 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15.02 ns
Turn-On Delay Time1.14 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen