Preis und Lagerbestand
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 2.21
$ 0.851
Stock
36,460
61,197
Authorized Distributors
1
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-251-3
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
14 A
14 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
100 mΩ
100 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
10 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
870 pF
870 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD12NF06L-1
N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a IPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRLU024, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET N-Chan 60V 14 Amp
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance870 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen