STMicroelectronics STD12NF06L-1
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Verwandte Teile
onsemiHUF76407D3
11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD12NF06L-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a IPAK package
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Power MOSFET Transistors N-Ch 60 Volt 12 Amp
Res Thick Film 2010 2.2K Ohm 5% 0.75W(3/4W) ±200ppm/C Molded SMD Automotive Embossed Plastic T/R
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Power MOSFETs, 60V, 12A, IPAK, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N-CH, 60V, 12A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating12 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant