STMicroelectronics STD12NF06L-1
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Verwandte Teile
onsemiHUF76407D3
11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD12NF06L-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a IPAK package
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
N-Channel 60 V 0.1 O STripFET II Power MosFet - TO-251
42.8W(Tc) 16V 2V@ 250¦ÌA 10nC@ 5 V 1N 60V 100m¦¸@ 6A,10V 12A 350pF@25V IPAK 8.4mm
Power MOSFET Transistors N-Ch 60 Volt 12 Amp
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Power MOSFETs, 60V, 12A, IPAK, Tube
STMicroelectronics SCT
Mosfet, N-Ch, 60V, 12A, To-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(On):0.06Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STD12NF06L-1
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating12 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant