onsemi FQD13N06LTM

Name: onsemi FQD13N06LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N06LTM

N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK

$ 0.257

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	FQD13N06LTM	1.826	1	Cut Tape	1,130	0,739	0,568	0,428	0,428
Verical	3	FQD13N06LTM	61	23				0,257	0,257	0,257
Arrow Electronics	2	FQD13N06LTM	290	1		0,262	0,262	0,262	0,262	0,262
Future Electronics	2	FQD13N06LTM	52.500	2500	Tape & Reel					0,260
Master Electronics		FQD13N06LTM	5.000	100				0,225	0,220	0,208

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Farnell

Datasheet11 SeitenVor 4 Jahren

JRH Electronics

IHS

onsemi

Newark

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onsemiFQD13N06LTM

NexperiaBUK92150-55A,118

Price @ 1000

$ 0.257

$ 1.153

Stock

605,165

284,037

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

TO-252

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

55 V

Continuous Drain Current (ID)

11 A

Threshold Voltage

2.5 V

Rds On Max

115 mΩ

125 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

15 V

Power Dissipation

2.5 W

3.6 W

Input Capacitance

350 pF

338 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-07-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQD13N06LTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK

onsemi

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA

Newark

N-Channel 60 V 0.115 Ohm Surface Mount LOGIC Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

MOSFET, N CH, 60V, 11A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Dissipation Pd: 28W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Farnell

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight260.37 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)11 A

Current Rating11 A

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance145 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time40 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance350 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation28 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max115 mΩ

Resistance115 mΩ

Rise Time90 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.5 V

Turn-Off Delay Time20 ns

Turn-On Delay Time8 ns

Voltage Rating (DC)60 V

Dimensions

Height2.39 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm