Texas Instruments CSD17573Q5B
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Price @ 1000
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$ 0.889
Stock
428,119
169,082
Authorized Distributors
4
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Continuous Drain Current (ID)
43 A
100 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
1 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.2 W
3.2 W
Input Capacitance
9 nF
-
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Technische Ressourcen
Evaluierungskits und Referenzdesigns für Texas Instruments CSD17573Q5B anzeigen.
Referenz-Designs
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onsemiNVTFS4C05NWFTAG
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 102A, 3.6mΩ 1500 / Tape & Reel. Pb-Free, Wettable Flanks
Beschreibungen
Beschreibungen von Texas Instruments CSD17573Q5B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 30V, 0.00145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Texas Instruments verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Texas Instruments ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)43 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance840 µΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.2 W
Rds On Max1 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height0 m
Length5 mm
Thickness950 µm
Width5 mm