Texas Instruments CSD13381F4
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 SnapEDA | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Stock
1,672,552
2,212,166
Authorized Distributors
4
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
QFN
QFN
Drain to Source Voltage (Vds)
12 V
12 V
Continuous Drain Current (ID)
2.1 A
2.1 A
Threshold Voltage
-
850 mV
Rds On Max
180 mΩ
180 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
500 mW
500 mW
Input Capacitance
200 pF
200 pF
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Technische Ressourcen
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Evaluation Kit
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N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 23A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Beschreibungen
Beschreibungen von Texas Instruments CSD13381F4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR / Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 180 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Ch MOSFET, 12V, 2.1A, 180mΩ@500mA,4.5V, 500mW(Ta), 1.1V@250µA, 1.4nC@4.5V, 200pF@6V, PICOSTAR-3, SMD, 350μm H
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Aliasnamen des Herstellers
Texas Instruments verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Texas Instruments ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance200 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation500 mW
Rds On Max180 mΩ
Rise Time1.5 ns
Schedule B8541210040
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time3.7 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1.035 mm
Width635 µm
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