Infineon IPW65R080CFDAFKSA1
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$ 4.79
Stock
234,125
101,515
Authorized Distributors
6
2
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-247
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
43.3 A
43.3 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
80 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
391 W
391 W
Input Capacitance
4.44 nF
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
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N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPW65R080CFDAFKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, AEC-Q101, N Channel, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.
Mosfet, N-Ch, Aec-Q101, 650V, To-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:43.3A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.072Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPW65R080CFDAFKSA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)43.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.44 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation391 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
On-State Resistance80 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation391 W
Rds On Max80 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time20 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen