STMicroelectronics STW37N60DM2AG
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mΩ, TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW37N60DM2AG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 600V 28A TO247 / N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-247-3
Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 28A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.094ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation210 W
Rds On Max110 mΩ
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