STMicroelectronics STW33N60DM2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-10-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW33N60DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Power MOSFETs, 600V, 24A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
Extremely high dv/dt ruggedness
Mosfet, N-Ch, 600V, 24A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.11Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW33N60DM2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance1.87 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max130 mΩ
Threshold Voltage4 V