STMicroelectronics STW28N60DM2
$ 1.98
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STW28N60DM2 | 660 | 600 | |||||||||
| Verical | STW28N60DM2 | 600 | 600 | |||||||||
| DigiKey | 497-16350-5-ND | 553 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STW28N60DM2 | 0 | 1 | 17h | ||||||||
| Avnet | STW28N60DM2 | 0 | 600 | 21h |
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InfineonIPW60R120C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3 / N-Channel 600 V 19A (Tc) 92W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW28N60DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
MOSFET N-CH 600V 21A / Extremely low gate charge and input capacitance
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +140%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max160 mΩ
Threshold Voltage4 V
Datenblätter und Dokumente
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