STMicroelectronics STW21N90K5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW20N95K5
N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STMicroelectronicsSTW15N80K5
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R190CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 / N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW21N90K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
250W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 43nC@ 10 V 1individualNChannel 900V 299m¦¸@ 9A,10V 18.5A 1.645nF@100V TO-247-3 Through hole mounting 24.45mm(height)
Mosfet, N-Ch, 900V, 18.5A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:900V; Continuous Drain Current Id:18.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW21N90K5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance299 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.645 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Rds On Max299 mΩ
Resistance299 MΩ
Rise Time27 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height24.45 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant