STMicroelectronics STW15N80K5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW20N95K5
N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
InfineonIPW65R310CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3 N-Channel 650 V 11.4A (Tc) 104.2W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
InfineonIPW65R280C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3 N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW15N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
STW15N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 800 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh K5, SuperMESH5series, Vds=800 V, 14 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
Mosfet, N-Ch, 800V, 14A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:14A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW15N80K5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Resistance375 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max375 mΩ
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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