STMicroelectronics STW18NM80
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW20N95K5
N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW18NM80, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-247 package
STW18NM80 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 17 A, 800 V, 3-PIN TO-247
Single N-Channel 800 V 190 W 70 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
190W(Tc) 30V 5V@ 250µA 70nC@ 10 V 1individualNChannel 800V 295mΩ@ 8.5A,10V 17A 2.07nF@50V TO-247-3 Through hole mounting 24.45mm(height)
N Channel Power Mosfet, Mdmesh, 800V, 17A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:17A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:190W; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW18NM80
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance295 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.07 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max295 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant