STMicroelectronics STW18N65M5
$ 1.756
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13283-5-ND | 585 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STW18N65M5 | 0 | 1 | 20h | ||||||||
| Future Electronics | STW18N65M5 | 0 | 30 | Tube | ||||||||
| Avnet | STW18N65M5 | 0 | 600 | 9h | ||||||||
| Arrow Electronics | STW18N65M5 | 0 | 600 |
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MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 / N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW18N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
Single N-Channel 650 V 0.22 Ohm 31 nC 110 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 650V, 15A, 150Deg C, 110W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.198Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW18N65M5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.24 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max220 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant